2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[22a-B102-1~6] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

2022年9月22日(木) 09:00 〜 10:30 B102 (B102)

宇野 和行(和歌山大)

09:45 〜 10:00

[22a-B102-4] InP基板上MgSe/ZnCdSe共鳴トンネルダイオードの理論解析と特性向上に向けた検討

馬場 一浩1、野村 一郎1 (1.上智大理工)

キーワード:共鳴トンネルダイオード、Ⅱ-Ⅵ族半導体

InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体によるヘテロ接合では、MgSe/ZnCdSe接合の伝導帯バンド不連続を約1.2eV有していることがわかっている。我々はこの特長を利用してMgSe二重障壁層をZnCdSe層で挟んだ共鳴トンネルダイオード(RTD)を作製し、室温での微分負性抵抗を確認した。本研究では、RTDの電流電圧(J-V)特性の理論解析を行い、更なる高性能化に向けて素子構造やn層キャリア濃度依存性について検討したので報告する。