The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.2 II-VI and related compounds

[22a-B102-1~6] 15.2 II-VI and related compounds

Thu. Sep 22, 2022 9:00 AM - 10:30 AM B102 (B102)

Kazuyuki Uno(Wakayama Univ.)

9:45 AM - 10:00 AM

[22a-B102-4] Theoretical analysis of MgSe/ZnCdSe resonant tunneling diodes on InP substrates and investigation for high performance

Kazuhiro Bamba1, Ichirou Nomura1 (1.Sophia Univ.)

Keywords:Resonant tunneling diode, 2-6 compound semiconductor

InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体によるヘテロ接合では、MgSe/ZnCdSe接合の伝導帯バンド不連続を約1.2eV有していることがわかっている。我々はこの特長を利用してMgSe二重障壁層をZnCdSe層で挟んだ共鳴トンネルダイオード(RTD)を作製し、室温での微分負性抵抗を確認した。本研究では、RTDの電流電圧(J-V)特性の理論解析を行い、更なる高性能化に向けて素子構造やn層キャリア濃度依存性について検討したので報告する。