[22a-B102-1~6] 15.2 II-VI and related compounds

[22a-B102-4] Theoretical analysis of MgSe/ZnCdSe resonant tunneling diodes on InP substrates and investigation for high performance

〇Kazuhiro Bamba¹, Ichirou Nomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:Resonant tunneling diode, 2-6 compound semiconductor

InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体によるヘテロ接合では、MgSe/ZnCdSe接合の伝導帯バンド不連続を約1.2eV有していることがわかっている。我々はこの特長を利用してMgSe二重障壁層をZnCdSe層で挟んだ共鳴トンネルダイオード（RTD）を作製し、室温での微分負性抵抗を確認した。本研究では、RTDの電流電圧（J-V）特性の理論解析を行い、更なる高性能化に向けて素子構造やn層キャリア濃度依存性について検討したので報告する。