[22a-B102-1~6] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[22a-B102-5] InP基板上MgZnCdSe/ZnCdSe共鳴トンネルダイオードにおける非対称二重障壁の検討

〇(M2)謝 観粲¹、ヨウ バイケツ¹、野村 一郎¹ (1.上智大学理工学研究科)

キーワード：II-VI族半導体、共鳴トンネルダイオード

我々はこれまでMgSe二重障壁層をZnCdSe層で挟んだ共鳴トンネルダイオード（RTD）を作製し、室温において微分負性抵抗を確認した。本研究では、RTD特性のより高性能化を目指し、非対称障壁構造の効果について理論的な検討を行ったので報告する。