2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[22a-B202-1~11] 17.3 層状物質

2022年9月22日(木) 09:00 〜 12:00 B202 (B202)

浦上 法之(信州大)

09:00 〜 09:15

[22a-B202-1] 有機溶液処理によるMoS2への高濃度ドーピング法の開拓

松山 圭吾1、藤村 紀文1、桐谷 乃輔2 (1.阪公大院工、2.東大院総合)

キーワード:遷移金属カルコゲナイド、二硫化モリブデン

原子層半導体である遷移金属カルコゲナイド(TMDC)における高キャリア濃度の達成は、超伝導相をはじめとする量子相への転移を誘起しうると期待されている。TMDCへのドーピング法の一つとして、TMDC/分子間での表面電荷移動を利用したドーピング手法が知られている。このドーピング能は、分子の溶媒和を含めた相互作用に基づくと想定されるものの、溶媒に着目した検討例はごく僅かである。本研究では、TMDCの一つであるMoS2に対して、強ドナー性有機分子を様々な溶媒条件で処理し、電子状態の測定、およびデバイス測定を実施した。