[22a-B202-1~11] 17.3 層状物質

[22a-B202-5] 二次元薄膜材料を用いたアンチ・アンバイポーラトランジスタによる論理演算素子の開発

〇新ヶ谷 義隆¹、Amir Zulkefli¹、岩﨑 拓哉¹、早川 竜馬¹、中払 周¹、渡邊 賢司¹、谷口 尚¹、若山 裕¹ (1.物材機構)

キーワード：アンチ・アンバイポーラトランジスタ、論理演算回路、遷移金属ダイカルコゲナイド

二次元薄膜材料を組み合わせて室温で負性抵抗に類似した特性を示すアンチ・アンバイポーラトランジスタを作製し、論理演算素子を実現した結果について報告する。デュアルゲート型のアンチ・アンバイポーラトランジスタを用いて、トップゲートおよびボトムゲートを入力、ドレイン電流を出力として、入力電圧を最適化することによって、単一素子でAND, OR, NAND, NOR, XOR回路を実現できることをこれまでに報告している。前回の発表時にはSiO₂基板上にトランジスタ構造を作製していたが、今回はh-BN上にトランジスタ構造を作製することによってデバイス性能の向上を図った。