[22a-B204-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [22a-B204-10] Development of a Real-Time Temperature Measurement Technique based on Optical-Interference Contactless Thermometry (OICT) for SiC wafer during Rapid Thermal Processing

〇Jiawen Yu¹, Kotaro Matsuguchi¹, Takuma Sato¹, Hiroaki Hanafusa¹, Seiichirou Higashi¹ (1.Hiroshima Univ.)

Keywords:temperature measurement, rapid thermal process

高速熱処理プロセスを自動化するためにはリアルタイム温度測定は必要不可欠である. 我々が独自に開発を進めている光学干渉非接触温度測定技術(OICT)は, ウエハの温度変化による反射率変化を解析することで, ウエハ内の過渡温度分布を高い時間と空間分解能で取得することができる. さらに, 画像処理とデータベースを用いた高速温度抽出プログラムを開発し，解析時間を数時間から数秒に短縮することに成功した. 本研究ではその高速温度抽出プログラムをOICT装置を含む大気圧プラズマジェット(TPJ)熱処理システムに実装し, リアルタイム温度測定とその精度の評価を行った.