[22a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [22a-B204-7] SiCへのMeV-Alイオンチャネリング注入における臨界角の決定

〇井上 瑛¹、金子 光顕¹、米澤 喜幸²、木本 恒暢¹ (1.京大院工、2.産総研)

キーワード：シリコンカーバイド、チャネリング注入、臨界角