[22a-B204-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[22a-B204-9] Thermal stress effects on local electronic properties on N-type 4H-SiC crystals
in contact with multilayer electrode film by micro-Raman spectroscopy at
high temperatures

〇Seiya Kondo¹, Suda Jun¹ (1.Chukyo Univ.)

Keywords:Widegap semiconductor, Micro-Raman spectroscopy, Electronic properties

車載用パワーデバイスにおいて4H-SiCは200℃以上の高温動作させる場合があり，電極界面の熱応力変化や電子物性を知る必要がある. 本研究では，高温領域の多層電極（Cr/Ti/Au）付n形4H-SiCの電極界面におけるラマンスペクトルより，熱応力と高温電子物性を求めた．電極近傍と遠方のn形4H-SiC結晶の電子密度を比較すると，電極近傍の電子密度は下がっていくことがわかった．