[22a-C200-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[22a-C200-6] Fabrication and evaluation of HBARs based on epitaxial AlN film grown on n-SiC

〇Megumi Kurosu¹, Daiki Hatanaka¹, Ryuichi Ota¹, Keiko Takase¹, Hiroshi Yamaguchi¹, Yoshitaka Taniyasu¹, Hajime Okamoto¹ (1.NTT BRL)

Keywords:BAW, Epitaxial growth, HBAR

High-overtone bulk acoustic wave resonator (HBAR)は、高いQ値を持つために、低位相ノイズの周波数基準発振器や量子情報処理への応用に向け、精力的に研究が行われている。本研究では、n-SiC上にAlNをエピタキシャル成長させることで、n-SiCが共振器と下部電極を担う新規構造でHBARの作製に成功したので報告する。本構造により、窒化物半導体のヘテロエピタキシャル構造からなるレーザーやトランジスタなどと音響共振器を融合する新規デバイスの可能性が開かれる。