[22a-C200-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-C200-6] n-SiC上にエピタキシャル成長したAlN薄膜による高倍音バルク音響共振器の作製と評価

〇黒子 めぐみ¹、畑中 大樹¹、太田 竜一¹、高瀬 恵子¹、山口 浩司¹、谷保 芳孝¹、岡本 創¹ (1.NTT物性研)

キーワード：バルク弾性波、エピタキシャル成長、バルク音響共振器

High-overtone bulk acoustic wave resonator (HBAR)は、高いQ値を持つために、低位相ノイズの周波数基準発振器や量子情報処理への応用に向け、精力的に研究が行われている。本研究では、n-SiC上にAlNをエピタキシャル成長させることで、n-SiCが共振器と下部電極を担う新規構造でHBARの作製に成功したので報告する。本構造により、窒化物半導体のヘテロエピタキシャル構造からなるレーザーやトランジスタなどと音響共振器を融合する新規デバイスの可能性が開かれる。