[22a-C200-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[22a-C200-9] Crystal growth of InN by quasi-atmospheric pressure plasma MOCVD

〇Naoto Kumagai^1,2, Hajime Sakakita^2,1, Tetsuji Shimizu^2,1, Hisashi Yamada^2,1, Toshikazu Yamada¹, Xue-Lun Wang^1,2,3, Reiko Azumi¹ (1.AIST-NU GaN-OIL, 2.AIST RIAEP, 3.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:plasma MOCVD, InN, InGaN

従来のプラズマ源に比べ1桁以上高い動作圧力(>1 kPa)と1桁以上高い窒素ラジカル密度(>5×10¹⁴ cm^-3)を生成可能なマイクロストリップライン構造を用いたプラズマ源のMOCVDへの応用を検討し、プラズマ源とMOガス供給源を一体化した統合モジュールを開発、プラズマMOCVDによるInN のバルク薄膜の成長とその評価を行った。