[22a-C202-1~7] 6.4 薄膜新材料

[22a-C202-7] TFET用Ti_xZn_1-xO_1+x/Si界面の熱処理による欠陥制御

〇(M2)大門 祐貴^1,2、知京 豊裕²、小椋 厚志^1,3、長田 貴弘² (1.明大理工、2.物質・材料研究機構、3.明大MREL)

キーワード：トンネルFET、コンビナトリアル手法、フォーミングガスアニール