[22a-C301-1~11] 3.6 レーザープロセシング（旧3.7）

[22a-C301-3] 室温でのエキシマレーザーアニーリングによる不純物ドープβ-Ga₂O₃薄膜の固相エピタキシャル成長と特性評価

〇(M1)沼田 拓実¹、甲斐 稜也¹、大賀 友瑛¹、金子 智²、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)

キーワード：ワイドギャップ半導体、不純物ドープ、エキシマレーザーアニーリング

β型酸化ガリウム(β-Ga₂O₃)はワイドギャップ半導体として深紫外光センサーやパワーデバイスのような、工学的応用が期待されている。紫外レーザーアニーリング（ELA）は、薄膜の固相エピタキシャル成長が室温で可能であり、ELAを適応することで、ドーパント蒸発を抑制した薄膜の合成がであり、p/n制御などのデバイス開発に繫がることが期待できる。本研究ではELAを活用した種々の不純物ドープβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の合成と特性評価を行った。