[22a-C301-1~11] 3.6 Laser processing (formerly 3.7)

[22a-C301-3] Solid-phase epitaxial growth of impurity-doped β-Ga₂O₃ thin films by RT-excimer laser annealing

〇(M1)Takumi Numata¹, Ryoya Kai¹, Tomoaki Oga¹, Satoru Kaneko², Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.KISTEC)

Keywords:Wide-gap semiconductor, inpurity doping, excimer laser annealing

β型酸化ガリウム(β-Ga₂O₃)はワイドギャップ半導体として深紫外光センサーやパワーデバイスのような、工学的応用が期待されている。紫外レーザーアニーリング（ELA）は、薄膜の固相エピタキシャル成長が室温で可能であり、ELAを適応することで、ドーパント蒸発を抑制した薄膜の合成がであり、p/n制御などのデバイス開発に繫がることが期待できる。本研究ではELAを活用した種々の不純物ドープβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の合成と特性評価を行った。