[22a-P03-1~11] 6.6 Probe Microscopy

[22a-P03-4] Local potential dynamics evaluation using STM probe photoelectron emission

〇Hiroyuki Mogi¹, Rin Wakabayashi¹, Yusuke Arashida¹, Shoji Yoshida¹, Osamu Takeuchi¹, Hidemi Shigekawa¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:STM, Potential, Ultrafast dynamics

半導体デバイスは日々微細化し、GHzを越える動作速度が実現されている中で、電荷輸送はps~nsのスケールで生じている。このようなデバイスで生じる電荷輸送を正しく評価し発展させるには、高い時空間分解能で計測する技術が必要不可欠である。本研究では、超高速領域で生じるキャリア伝導を捉えるためにSTM探針とフェムト秒パルスレーザーを組み合わせ、探針先端から放出される光電子により試料表面のポテンシャルダイナミクスを局所的に評価する手法を開発した。更なる応用としてSTM観察と組み合わせ、ナノスケールの構造と対応させた電荷輸送ダイナミクス評価の実現も考えられ、微細化・高速化が著しい半導体デバイスの強力な解析ツールとなることが期待できる。