[22a-P04-1~14] 8 Plasma Electronics(Poster)

[22a-P04-4] Thermionic emission of AlGaN surface alternately treated with cesium and oxygen

〇(M1)Kai Namura¹, Shigeya Kimura², Hisashi Yoshida², Hisao Miyazaki², Akihisa Ogino¹ (1.Shizuoka Univ., 2.Corporate Research & Development Center, Toshiba Corp.)

Keywords:Cesium, Thermionic Emission, AlGaN

ワイドバンドギャップ半導体のAlGaNは、セシウム(Cs)の吸着およびCs-Oの共吸着により負の電子親和力状態を得ることができるため、熱電子発電用エミッタ応用が期待できる。本研究では、AlGaN表面をCs / O₂で交互被覆したときの熱電子放出を実測し、交互被覆の影響を評価した。その結果、交互被覆により熱電子放出が約90倍まで増加し、熱電子放出特性の向上が確認された。