[22a-P04-1~14] 8 プラズマエレクトロニクス(ポスター)

[22a-P04-4] セシウムと酸素で交互被覆したAlGaN表面の熱電子放出特性

〇(M1)名村 海¹、木村 重哉²、吉田 学史²、宮崎 久生²、荻野 明久¹ (1.静大院工、2.(株) 東芝 研究開発センター)

キーワード：セシウム、熱電子放出、AlGaN

ワイドバンドギャップ半導体のAlGaNは、セシウム(Cs)の吸着およびCs-Oの共吸着により負の電子親和力状態を得ることができるため、熱電子発電用エミッタ応用が期待できる。本研究では、AlGaN表面をCs / O₂で交互被覆したときの熱電子放出を実測し、交互被覆の影響を評価した。その結果、交互被覆により熱電子放出が約90倍まで増加し、熱電子放出特性の向上が確認された。