[22p-A202-1~22] 6.2 カーボン系薄膜

△ [22p-A202-19] 高濃度ホウ素ドープラテラル成長技術を用いた原子的に平坦な窒素ドープダイヤモンド（111）へのp⁺膜埋込成長

〇(D)小林 和樹¹、張 旭芳¹、牧野 俊晴²、松本 翼¹、猪熊 孝夫¹、山崎 聡¹、C.E. Nebel^1,3、徳田 規夫¹ (1.金沢大、2.産総研、3.Diacara)

キーワード：ダイヤモンド、原子的平坦面、埋込成長

ダイヤモンドパワーデバイスの性能向上には不純物ドープダイヤモンド膜の選択的な埋込が必要である。しかし、イオン注入法を用いた不純物ドープ膜の形成は、イオン注入時に格子欠陥が発生し、活性化アニール技術も確立されていないため困難である。我々は、ラテラル成長法と誘導結合プラズマ（ICP）エッチング法を組み合わせた、不純物ドープ膜の選択的埋込形成技術を新たに提案した。本講演では埋込過程の詳細を報告する。