[22p-A301-1~15] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[22p-A301-14] 光電子放出量定量評価のためのBi₂Se₃表面計算

〇草部 浩一¹、山本 陸人¹、福本 恵紀²、石田 邦夫³ (1.兵県大理、2.高エネ研、3.宇都宮大工)

キーワード：Bi2Se3、表面状態、トポロジカル絶縁体

Bi₂Se₃の複数の表面を考察して、ディラック電子の表面深さ方向依存性を、PEEMデータと直接比較するためのデータ取得のために、密度汎関数法計算を適用して求めた。清浄なQL表面と比較して、Bi面が得られている場合に、ディラック電子のp-DOSが増強される場合がある。PEEMデータとの整合性について議論する。