[22p-A301-1~15] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[22p-A301-15] Cat-CVD水素化n-a-Si膜へのFLAにより形成した多結晶Siの表面パッシベーションと低欠陥化

〇王 崢¹、Tu Thi Cam Huynh¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：シリコン薄膜、フラッシュランプアニール、パッシベーシ

FLAにより形成したn-poly-Si膜に対し、Cat-CVD装置でa-Si:Hパッシベーション膜堆積及び原子状水素処理を行い、その効果を調査した。a-Si:Hパッシベーション膜堆積による少数キャリア寿命の増大が見られ、パッシベーション膜の有効性が確認された。また、水素処理による少数キャリア寿命の増大が見られなかった。Cat-CVD装置での水素処理においては、適切な処理条件の選定やエッチング抑止のための保護層の堆積が必要であると示唆される。