[22p-A301-1~15] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[22p-A301-15] Surface passivation and defect reduction of polycrystalline Si films formed by FLA to Cat-CVD hydrogenated n-a-Si films

〇Zheng WANG¹, Huynh Thi Cam Tu¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Thin film silicon, Flash lamp annealing, Passivation

FLAにより形成したn-poly-Si膜に対し、Cat-CVD装置でa-Si:Hパッシベーション膜堆積及び原子状水素処理を行い、その効果を調査した。a-Si:Hパッシベーション膜堆積による少数キャリア寿命の増大が見られ、パッシベーション膜の有効性が確認された。また、水素処理による少数キャリア寿命の増大が見られなかった。Cat-CVD装置での水素処理においては、適切な処理条件の選定やエッチング抑止のための保護層の堆積が必要であると示唆される。