[22p-A306-1~7] 11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

[22p-A306-6] Si(100)基板上に成長したTiN薄膜の均一性評価

〇寺井 弘高¹、猪股 邦宏²、小林 篤³、藤岡 洋³、芳中 大樹⁴、小玉 剛史⁴、菱田 有二¹、金 鮮美¹、山下 太郎⁵、布施 智子¹、吉原 文樹^1,6、仙場 浩一^1,7 (1.情通機構、2.産総研、3.東大生研、4.浜松ホトニクス、5.東北大院工、6.東理大理、7.東大院理)

キーワード：超伝導体、超伝導量子ビット、超伝導共振器

準平面導波路型共振器における共振周波数の再現性や内部Q値、超伝導量子ビットのコヒーレンス時間を改善するためには、TiN薄膜の膜厚、膜質の均一性向上、結晶状態、表面状態の詳細な評価が不可欠である。本発表では、3インチSi基板上に作製したTiN薄膜について、膜厚、膜質（抵抗率、超伝導転移温度等）の均一性、結晶性、表面ラフネス、内部Q値等を評価した結果について報告する。