[22p-A307-1~17] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[22p-A307-17] アニール時電界印加がHf_0.5Zr_0.5O₂強誘電体薄膜に与える影響

〇(M1)田中 将¹、野田 実¹ (1.京工繊大)

キーワード：強誘電体

近年広く研究されるようになったハフニア系の強誘電体薄膜は数nmまでの極薄膜化が可能であり、現状のFeRAM以上の超高集積・高性能な次世代不揮発性メモリデバイス用材料として期待されている。しかし、ハフニア系強誘電体の起源は準安定相であるo相であり、この準安定相の安定化が困難であり、いまだにendurance特性の不足や同相の発現の条件の不明確さという困難がある。本研究ではアニール中の電界印加によってより広い条件下での準安定相の安定化が可能かどうかについて検討した。