[22p-A307-1~17] CS.7 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[22p-A307-3] Structural analysis of ferroelectric Hf_xZr_1−xO₂/TiN fabricated using atomic layer deposition with different oxidant

〇(P)Takashi Onaya^1,2,3, Toshihide Nabatame², Takahiro Nagata², Shigenori Ueda², Yong Chan Jung⁴, Heber Hernandez-Arriaga⁴, Jaidah Mohan⁴, Jiyoung Kim⁴, Chang-Yong Nam⁵, Esther H. R. Tsai⁵, Koji Kita⁶, Shinji Migita¹, Hiroyuki Ota¹, Yukinori Morita¹ (1.AIST, 2.NIMS, 3.JSPS Research Fellow PD, 4.UT Dallas, 5.Brookhaven Nat. Lab., 6.Univ. Tokyo)

Keywords:HfO2-based ferroelectric material, atomic layer deposition, hard X-ray photoelectron spectroscopy

強誘電体Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)膜は、薄膜化及び低温プロセス化が可能であることから、次世代材料として注目されている。これまで我々は、HZO膜の強誘電性が原子層堆積(ALD)法の酸化剤に依存する事を報告した。この異なる特性の要因について考察するために、HZO膜のH濃度及びHZO/TiN界面に注目した。本研究では、異なる酸化剤を用いたALD法により作製したHZO/TiNの構造評価した結果を報告する。