[22p-A307-1~17] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[22p-A307-3] 異なる酸化剤を用いた原子層堆積法により作製した強誘電体Hf_xZr_1−xO₂/TiNの構造評価

〇(P)女屋 崇^1,2,3、生田目 俊秀²、長田 貴弘²、上田 茂典²、Jung Yong Chan⁴、Hernandez-Arriaga Heber⁴、Mohan Jaidah⁴、Kim Jiyoung⁴、Nam Chang-Yong⁵、Tsai Esther H. R.⁵、喜多 浩之⁶、右田 真司¹、太田 裕之¹、森田 行則¹ (1.産総研、2.物材機構、3.学振PD、4.UT Dallas、5.Brookhaven Nat. Lab.、6.東大)

キーワード：HfO2系強誘電体、原子層堆積法、硬X線光電子分光法

強誘電体Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)膜は、薄膜化及び低温プロセス化が可能であることから、次世代材料として注目されている。これまで我々は、HZO膜の強誘電性が原子層堆積(ALD)法の酸化剤に依存する事を報告した。この異なる特性の要因について考察するために、HZO膜のH濃度及びHZO/TiN界面に注目した。本研究では、異なる酸化剤を用いたALD法により作製したHZO/TiNの構造評価した結果を報告する。