[22p-A307-1~17] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[22p-A307-4] HfO₂-ZrO₂ Laminate構造が強誘電相生成をアシストするメカニズム

〇右田 真司¹、森田 行則¹、浅沼 周太郎¹、太田 裕之¹、齊藤 雄太¹ (1.産総研)

キーワード：強誘電体、HfO2、ZrO2

半導体プロセスとの整合性に優れたHfO₂系強誘電体の登場によって、最先端LSIと融合可能な種々の強誘電体デバイスの研究開発が活発化している。Hf_0.5Zr_0.5O₂膜の研究では、HfO₂とZrO₂を「混合して堆積する方法(Solid solution)」と「交互に層状に堆積する方法(Laminate)」が比較され、Laminateの方が強誘電特性に優れることが報告されている。我々は熱処理時間の効果を系統的に調べ、Laminate構造には強誘電相生成を加速する機能があることを見出した。本報告ではそのメカニズムについて考察を行う。