[22p-A307-1~17] CS.7 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[22p-A307-9] Investigation of ferroelectric HfN_x formation and MFSFET characteristics

〇Akinori Ide¹, Masakazu Tanuma¹, Ihara Akio¹, Ohmi Shun-ichiro¹ (1.Tokyo Inst. of Technology)

Keywords:ferroelectric HfNx, MFSFET, ECR plasma sputtering

強誘電体HfO₂薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(MFSFET)への応用が期待されている。しかし、SiO₂界面層が形成されメモリ特性が劣化するという課題がある。本研究では、界面層の形成を抑制可能なHfN_x薄膜に着目し、強誘電性を示すHfN_x薄膜のSi基板上への形成とMFSFETの作製に関して報告する。