[22p-A406-1~15] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[22p-A406-10] Room-temperature Growth of HfO₂/SiO₂ film by Neutral Beam Enhanced Atomic Layer Deposition with Electrical Characteristics

〇Daisuke Ohori¹, Yi-Ho Chen², Takuya Ozaki¹, Kazuhiko Endo³, Yiming Li², Seiji Samukawa^2,1,4 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.NYCU, 3.AIST, 4.AIMR, Tohoku Univ.)

Keywords:neutral beam enhanced atomic layer deposition, high-k material, gate oxide film

本研究では、低温NBEALDを用いてSi基板上にアモルファスHfO₂/SiO₂構造を形成し、そのHfO₂薄膜の変化を評価した。結果より、100サイクル以上で屈折率1.85以上となり、200サイクルの時には1.90に達し、Monoclinic膜相当となった。