[22p-B102-1~10] Revisiting semiconductor light-emitting materials and optical characterization by unique spectroscopic approaches

[22p-B102-7] Direct characterization of carrier recombination lifetime at the semiconductor surface by using time-resolved two-photon photoemission spectroscopy

〇Shuhei Ichikawa^1,2, Osamu Maida¹, Kazunobu Kojima¹ (1.Osaka Univ., 2.Research Center for UHVEM, Osaka Univ.)

Keywords:surface recombination, semiconductor, two-photon photoemission

半導体中のキャリア再結合寿命の評価手法として、時間分解フォトルミネセンス法やマイクロ波光導電減衰法等が広く知られているが、これらの検出信号は試料深さ方向の影響を強く受けるため、表面再結合の影響を切り分けたキャリア寿命測定が容易ではない。本発表では、高い時間分解能と表面敏感性を兼ね備えた時間分解二光子光電子分光測定を紹介し、半導体の表面再結合寿命を直接評価するための強力な分光法となり得ることを示す。