[22p-B202-1~17] 17.2 グラフェン

△ [22p-B202-7] グラフェンナノリボン量子ドット集積化における閉じ込め障壁制御

〇(M1)加藤 樹¹、金子 俊郎¹、加藤 俊顕¹ (1.東北大工)

キーワード：グラフェンナノリボン、量子ドット、集積化

これまで我々は、グラフェン由来の特異な電気的性質をもつ半導体であるグラフェンナノリボン（GNR）の、プラズマCVDによる大規模集積化合成に成功している。本研究では、合成したGNRデバイスの量子ドット応用のため、GNRと電極間に形成されるショットキー障壁を量子ドットの閉じ込め障壁として利用することを試みた。異なる温度条件下での測定と解析により、電極に用いる金属種によって障壁高さの制御が可能であることを明らかにした。