[22p-B204-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-B204-5] Mgチャネリング注入によるGaN縦型パワーデバイス JTE構造の最適ドーズ幅拡大効果

〇北川 和輝¹、Maciej Matys²、加地 徹²、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、pn接合ダイオード