[22p-C102-1~16] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[22p-C102-1] sp³欠陥を有する半導体型単層カーボンナノチューブ薄膜の面直方向の熱・電気特性

〇上治 寛¹、蓬田 陽平¹、八木 貴志²、Zaumseil Jana³、柳 和宏¹ (1.都立大理、2.産総研、3.ハイデルベルグ大)

キーワード：時間領域サーモリフレクタンス、sp3欠陥、半導体型単層カーボンナノチューブ

半導体型単層カーボンナノチューブ(s-SWCNT)にsp³欠陥を導入することでの発光が明るくなるため、電気的に駆動する近赤外の単一光子源の応用が期待される。本研究では、金電極をトランスデューサにした時間領域サーモリフレクタンスにより、sp³欠陥によるs-SWCNT薄膜の面直方向の熱・電気輸送特性は影響を調査した。