[22p-C200-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

[22p-C200-1] Study of polarization induced p-type conductivity on a semipolar plane

〇Kimito Kamiya¹, Ryota Akaike¹, Mitsuru Funato¹, Yoichi Kawakami¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:semiconductor, AlGaN

半極性面は極性面に比べ，量子閉じ込めシュタルク効果を抑制できる点や偏光特性で，光デバイスとして有利な特性を持っている．一方，AlGaNによる深紫外LEDのp型層において正孔密度を高める手法として，最近，分極ドーピングが注目されている．半極性面は極性面に比べ分極が小さいため，分極ドーピング法が適用可能かどうか検討したので報告する．