[22p-C200-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-C200-1] 半極性面上の組成傾斜AlGaNによる分極誘起p型伝導層の検討

〇神谷 君斗¹、赤池 良太¹、船戸 充¹、川上 養一¹ (1.京大工)

キーワード：半導体、AlGaN

半極性面は極性面に比べ，量子閉じ込めシュタルク効果を抑制できる点や偏光特性で，光デバイスとして有利な特性を持っている．一方，AlGaNによる深紫外LEDのp型層において正孔密度を高める手法として，最近，分極ドーピングが注目されている．半極性面は極性面に比べ分極が小さいため，分極ドーピング法が適用可能かどうか検討したので報告する．