[22p-C200-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [22p-C200-10] Investigation on improvement of carrier injection efficiency in AlGaN-based UV-B laser diodes

〇(M1)Ryosuke Kondo¹, Tomoya Omori¹, Ryota Hasegawa¹, Ayumu Yabutani¹, Eri Matsubara¹, Sho Iwayama^1,2, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Hideto Miyake² (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:semiconductor, nitride, ultraviolet laser

AlGaN系UV-B LDの課題の一つとしてキャリア注入効率が低いことが挙げられる。そこで本報告ではEBL/p-AlGaN界面にヘテロ界面を形成し、正の固定電荷を打ち消す構造を考案した。最初にヘテロ界面による効果をシミュレーションにより確認したところキャリア注入効率が増大した。次に実際にデバイスを作製し室温・パルス駆動で比較したところ、ヘテロ界面を形成することでスロープ効率や発光強度が向上した。