[22p-C200-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22p-C200-10] AlGaN系UV-B半導体レーザのキャリア注入効率向上に関する検討

〇(M1)近藤 涼輔¹、大森 智也¹、長谷川 亮太¹、薮谷 歩武¹、松原 衣里¹、岩山 章^1,2、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、三宅 秀人² (1.名城大・理工、2.三重大・院・工)

キーワード：半導体、窒化物、紫外レーザ

AlGaN系UV-B LDの課題の一つとしてキャリア注入効率が低いことが挙げられる。そこで本報告ではEBL/p-AlGaN界面にヘテロ界面を形成し、正の固定電荷を打ち消す構造を考案した。最初にヘテロ界面による効果をシミュレーションにより確認したところキャリア注入効率が増大した。次に実際にデバイスを作製し室温・パルス駆動で比較したところ、ヘテロ界面を形成することでスロープ効率や発光強度が向上した。