[22p-C200-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [22p-C200-11] Dielectric multilayer reflector for AlGaN-based UV-B laser diodes

〇Ayumu Yabutani¹, Ryota Hasegawa¹, Ryosuke Kondo¹, Eri Matsubara¹, Sho Iwayama^1,2, Yoshito Jin³, Tatsuya Matsumoto³, Masamitsu Toramaru³, Hironori Torii⁴, Daichi Imai¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹, Hideto Miyake² (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ., 3.JSW, 4.JSW Afty)

Keywords:semiconductor, laser, nitride

AlGaN系深紫外半導体レーザの光出力の増大には出射面に低反射率誘電体多層膜ミラー、反対面に高反射率DBRを成膜する技術が必要であるが、深紫外領域では光の吸収などの問題があるため最適な材料の開発は十分されていない。前回の発表ではSiO₂/Ta₂O₅ DBRのHRミラーに関して報告した。本報告では、HRおよびARミラーを作製し、その効果を検証した。また、レーザとDBRの界面にAl₂O₃を窓材として用いた効果についても検証した。