[22p-C200-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [22p-C200-14] A blue laser diode with a bottom tunnel junction grown by MOVPE

〇(M1)Kodai Usui¹, Tetsurou Inagaki¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Satoshi Kamiyama¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:semiconductor, tunnel junction, nitride

MBE法で作製された活性層下部にトンネル接合を有するレーザーダイオード（BTJ LD）が報告されている。本構造はn層→TJ→p層→活性層→n層と積層され、N極性と同様の注入効率向上が期待される。本研究室がMOVPE法で作製したBTJ LDは立ち上がり電圧V_F=11Vであった。本研究は 低減に向けBTJの不純物プロファイルを検討した。結果、厚いオーバーラップ層によりV_Fは4 Vと低減した。