[22p-C200-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22p-C200-14] MOVPE法により作製した下部トンネル接合青色レーザーダイオード

〇(M1)臼井 広大¹、稲垣 徹郎¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹ (1.名城大理工)

キーワード：半導体、トンネル接合、窒化物

MBE法で作製された活性層下部にトンネル接合を有するレーザーダイオード（BTJ LD）が報告されている。本構造はn層→TJ→p層→活性層→n層と積層され、N極性と同様の注入効率向上が期待される。本研究室がMOVPE法で作製したBTJ LDは立ち上がり電圧V_F=11Vであった。本研究は 低減に向けBTJの不純物プロファイルを検討した。結果、厚いオーバーラップ層によりV_Fは4 Vと低減した。