[22p-C200-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [22p-C200-2] AlN mole fraction dependence of contact resistance in p-AlGaN layer

〇(M1)Hayata Takahata¹, Tomoaki Kachi¹, Rie Iwatsuki¹, Hisanori Ishiguro¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Kengo Nagata², Koji Okuno², Yoshiki Saito² (1.Meijo Univ., 2.TOYOTA GOSEI Co.Ltd)

Keywords:AlGaN, p-AlGaN

深紫外LEDのエネルギー変換効率は一般的に2～4%と低い。p-GaNコンタクト層に代わり光吸収が少ないp-AlGaNコンタクト層を用いた深紫外LEDが報告がされている 。一方で、p-AlGaNコンタクト層のコンタクト抵抗を導出した報告は少なく、今回、p-AlGaN層コンタクト抵抗のAlNモル分率依存性を検討した。AlNモル分率上昇に伴い、コンタクト抵抗は指数関数的に上昇した。ゆえに、コンタクト層における光吸収量も鑑みたAlNモル分率の決定が重要になる。