[22p-C200-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22p-C200-2] p-AlGaN層コンタクト抵抗のAlNモル分率依存性

〇(M1)高畑 勇汰¹、可知 朋晃¹、岩月 梨恵¹、石黒 永孝¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、永田 賢吾²、奥野 浩司²、斎藤 義樹² (1.名城大理工、2.豊田合成)

キーワード：AlGaN、p-AlGaN

深紫外LEDのエネルギー変換効率は一般的に2～4%と低い。p-GaNコンタクト層に代わり光吸収が少ないp-AlGaNコンタクト層を用いた深紫外LEDが報告がされている 。一方で、p-AlGaNコンタクト層のコンタクト抵抗を導出した報告は少なく、今回、p-AlGaN層コンタクト抵抗のAlNモル分率依存性を検討した。AlNモル分率上昇に伴い、コンタクト抵抗は指数関数的に上昇した。ゆえに、コンタクト層における光吸収量も鑑みたAlNモル分率の決定が重要になる。