[22p-C200-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [22p-C200-4] Thickness dependence of polarization doped transparent p-contact layer on the efficiency of 230 nm far-UVC AlGaN LED

〇(M1C)Kou Sumishi^1,2, Noritoshi Maeda¹, Akira Endoh², Hiroki Fujishiro², Yasushi Iwaisako³, Hideki Hirayama¹ (1.Riken, 2.TUS, 3.Nippon Tungsten)

Keywords:AlGaN, Polarization Doping, UVC-LED

深紫外（DUV）発光ダイオード（LED）を用いたSARS-CoV-2の不活性化処理に注目が集まっており、我々はこうしたウイルス不活性化のために、"人体無害波長 "である220-230nmの深紫外LEDを開発している。我々はすでに、230 nm帯LEDの注入効率（IE）を向上させるために、分極ドープ(Polarization doped; PD)透明p-AlGaN層を導入している。本研究では，PD層の組成勾配を最適化することで，コンタクト層のホール濃度を高め，より高いIEを得ることを目指した。そこで，230 nm帯LEDの外部量子効率(EQE)に対するPD層の膜厚依存性を調べた。