[22p-C201-1~6] 3.8 Terahertz technologies (formerly 3.9)

△ [22p-C201-3] Terahertz wave surface plasmon resonance in topological insulator (Sb, Bi)₂(Te, Se)₃

〇Hinano Sugimoto¹, Kana Nishimura¹, Hitoshi Tabata¹ (1.Univ. of Tokyo)

Keywords:topological insulator, terahertz, surface plasmon resonance

テラへルツ帯域には、分子間結合に起因する数多くの振動モードが存在し、生体関連分子系における特異的分子間結合状態を蛍光分子修飾無しに直接観測することが期待されている。本研究では、ディラック電子系トポロジカル絶縁体によるテラヘルツ帯域SPR法を用いて、特異的分子間結合の非標識検出を行っている。本発表では特に、格子欠陥を減らしより純粋な表面のmassless電子の動きをみるため、(Sb, Bi)₂(Te, Se)₃系における組成比を制御する。