[22p-C202-1~12] 6.4 薄膜新材料

△ [22p-C202-11] MnドープITOエピタキシャル成長膜におけるMnドープ量が物性に与える影響の評価

〇北川 彩貴¹、中村 敏浩^1,2 (1.京大院人環、2.京大国際高等教育院)

キーワード：希薄磁性半導体、酸化インジウムスズ薄膜、スピントロニクス材料

本研究では, 希薄磁性半導体であるMnドープITOエピタキシャル成長膜に着目した. 当材料はITO薄膜に少量のMnを添加した物質であり, ITOがもつ低い電気抵抗率と高い透過率に加えて室温強磁性の特性を併せ持つが, ITO薄膜に対するMnドープ量は各特性に影響を与えることが考えられる. そこで本研究では, MnドープITOエピタキシャル成長膜におけるMnドープ量が電気・光学・磁気特性に与える影響を評価した.