[22p-C202-1~12] 6.4 薄膜新材料

△ [22p-C202-8] マグネトロンスパッタ法を用いたKCoF₃エピタキシャル薄膜成長

〇(M2)邱 天裕¹、清水 亮太¹、小松 遊矢¹、深津 圭佑¹、西尾 和記¹、一杉 太郎^1,2 (1.東工大物質理工、2.東大院理)

キーワード：薄膜、ペロブスカイト、フッ化物

近年、過電圧の小さな高効率酸素発生触媒として、ペロブスカイト型の遷移金属フッ化物が注目されており、その中KCoF₃は小さな過電圧で酸素発生が可能であると報告されている。触媒反応機構の詳細な理解には、エピタキシャル薄膜を用いた定量評価が有用である。マグネトロンスパッタ法はペロブスカイトフッ化物の成膜に適用された報告はない。そこで本研究では、スパッタ法を用いたKCoF₃のエピタキシャル薄膜作製を試みた。