[22p-P07-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[22p-P07-2] 半導体-絶縁体転移を示すVO₂/Nb-TiO₂多層膜の電子構造とキャリアー密度

谷古宇 海斗¹、西 翔平^1,2、伊藤 宏樹¹、谷口 充樹¹、冨吉 希彩良¹、高田 文朝¹、志賀 大亮²、組頭 広志²、〇樋口 透¹ (1.東理大理、2.東北大)

キーワード：VO2/Nb-TiO2多層膜、半導体-絶縁体転移、ホール移動度

VO₂単結晶は、約340Kで金属-絶縁体相転移(MIT)を示すが、薄膜化すると格子不整合や酸素欠陥生成のため単結晶に匹敵するMITが実現できない。本研究では、VO₂/Nb-TiO₂多層膜の相転移・電気抵抗・キャリアー密度等の影響を検証し、その知見を得ることを目的とした。当日は、詳細な結晶構造解析や電子構造の結果、ホール効果測定の結果を示し、多層膜の半導体-絶縁体転移の挙動について報告する。