[22p-P10-1~6] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[22p-P10-2] 第一原理計算によるInSb_1-xN_x混晶の電子構造解析

〇藤川 紗千恵¹、藤原 彬嵩¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大)

キーワード：第一原理計算、混晶、バンドギャップ