[22p-P10-1~6] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[22p-P10-4] GaAs(111)A上のInAsメタモルフィック成長：成長温度依存性

〇間野 高明¹、大竹 晃浩¹、川津 琢也¹、佐久間 芳樹¹ (1.物材機構)

キーワード：インジウム砒素、分子線エピタキシー、転位

InAs/GaAs(111)Aは、成長初期に転位ネットワークが形成されることにより格子が緩和し、二次元成長が継続する系であるが、今回成長温度が構造特性に与える影響を調べた。基板温度420℃と460℃で300nmのInAsを成長して比較を行ったところ、420℃ではロッキングカーブ半値幅は若干減少するものの貫通転位密度が増加することが分かった。次に、成長初期に５MLのInAs層を320℃で成長した後に、460℃成長を行ったところ、ロッキングカーブの半値幅が大幅に減少することが確認された。