[22p-P10-1~6] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[22p-P10-5] 1 μm帯広帯域高強度発光InGaAs薄膜の成長条件の検討(II)

〇祝出 航佑¹、尾崎 信彦¹、奥野 光基¹ (1.和歌山大シス工)

キーワード：広帯域光源、近赤外光、InGaAs