[22p-P12-1~3] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[22p-P12-1] 数値解析によるCz法ヘビードープシリコン単結晶成長時の成長界面に
おける点欠陥生成挙動に関する研究

〇向山 裕次^1,2、末岡 浩治³ (1.岡山県立大院情報系工、2.STR Japan株式会社、3.岡山県立大情報工)

キーワード：点欠陥、ドーパント、シリコン

Cz法Si 単結晶成長においてP, B, Sbといったドーパントを添加すると，成長界面おいて生成する点欠陥（原子空孔, 自己格子間原子）の濃度が影響を受けることが知られている. 本研究では，3次元非定常成長解析モデルをベースにドーパントの偏析を考慮した輸送解析を行い，ドーパント濃度分布や変動が成長界面での点欠陥形成に与える影響に関して検討した．