[22p-P14-1~4] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[22p-P14-1] Leakage current reduction of Si/CaF₂ p-type Resonant Tunneling Diode using embedded structure in CaF₂

〇Akinori Ito¹, Yusuke Suzuki¹, Maiko Hoshino¹, Ryoya Usami¹, Kanta Murakami¹, Masahiro Watanabe¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:Resonant Tunneling Diode, Negative Differential Resistance

シリコン(Si)/弗化カルシウム(CaF₂)ヘテロ構造は，結晶構造が類似で格子定数が近いことからSi基板上に積層エピタキシャル成長が可能であり，以前からこれを用いた共鳴トンネルダイオード(RTD)の室温動作実証が報告されてきた。本研究では，ホール注入型のSi/CaF₂三重障壁構造RTDにおいて，従来のSiO₂埋め込み型と比べてリーク電流の低減が期待できるCaF₂埋め込み型RTD構造を提案し，素子作製及び微分負性抵抗特性及びリーク電流の評価を行った。