[22p-P14-1~4] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[22p-P14-2] Room temperature negative differential resistance of Si/CaF₂ double-barrier resonant tunneling diodes grown by surfactant epitaxy

〇Yusuke Suzuki¹, Akinori Ito¹, Masataka Saito¹, Maiko Hoshino¹, Ryoya Usami¹, Kanta Murakami¹, Masahiro Watanabe¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:Resonant Tunneling Diodes, Negative Differential Resistance

シリコン(Si)/弗化カルシウム(CaF₂)ヘテロ構造は，界面における伝導帯バンド不連続が約2 eVであり，結晶構造が類似で格子定数が近いことからSi基板上に数原子層厚の積層エピタキシャル成長が可能である。この特徴を活かし，室温において大きなpeak-to-valley電流比を有する共鳴トンネルダイオード(RTD)の動作実証を行ってきた。今回，Si量子井戸層をAsドーピングすることによりピーク電流密度が上昇することが示唆された。